中國科學院高能物理研究所和微電子研究所的研究團隊，在近期聯合研發出了一款具有良好抗輻射性能的超快響應速度的硅傳感器。其中，高能所負責電路圖和工藝的設計與測試，微電子所負責流片。
該傳感器采用了低增益雪崩二極管。經過專業性能測試，抗輻射性能在所有低增益雪崩二極管超快響應硅傳感器中，表現最好，達到了實驗室高顆粒度、高時間分辨探測器（High Granularity Timing Detector，簡稱HGTD）項目的要求，具體的測試結果已經公布在了EP Newsletter（歐洲核子中心實驗新聞）和CERN detector seminar（歐洲核子研究組織的探測器講座）上。
為了提高傳感器的抗輻射性能，該研究團隊在原先的工藝之中添加了碳摻雜工藝，降低了輻射引起的傳感器中硼摻雜的移除速率，從而提高了抗輻射性能。在高亮度大型強子對撞機要求的超高輻射量條件下，該低增益雪崩二極管超快響應硅傳感器依然能達到30至40皮秒的時間分辨率，并且可以在300至400V的較低電壓下正常工作。在歐洲核子研究組織的束流測試中，低工作電壓還能避免由單粒子擊穿所導致的輻射損傷。
大型強子對撞機
高顆粒度、高時間分辨探測器項目是大型強子對撞機高亮度二期升級的一部分，目的是為了研制出6.4㎡抗輻射超快響應硅探測器，利用高精度的時間信息，來區分空間上距離較近的對撞事例，進而提高探測器的物理性能。
高顆粒度、高時間分辨探測器項目研發的硅超快響應速度傳感器，具備了國際領先的超快讀取芯片功能和大面積超快探測器集成等技術。
中國科學院高能物理研究所和微電子研究所將承擔高顆粒度、高時間分辨探測器項目中，全部的前端電路板研制、近一半的探測器模塊研制，和超過三分之一的傳感器研制。目前，該項目已經得到了核探測與核電子學國家重點實驗室和國家自然科學基金委員會等機構的支持。
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