頂點商城2022年1月6日消息，氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料之一，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高頻、高壓、高溫、高輻射和高功率等條件的要求，相比硅基半導(dǎo)體，可以使電子元器件的體積縮小超過75%，功耗降低超過50%。因此，GaN廣泛應(yīng)用在光伏逆變器、通訊設(shè)備和電動車快充等領(lǐng)域。
韓國東部高科株式會社（Dongbu HiTek Co., Ltd.，簡稱東部高科）正在研究將GaN材料薄膜，沉淀在硅晶圓上制成硅基GaN，來生產(chǎn)8英寸半導(dǎo)體電子元器件。因為采用硅基GaN技術(shù)可以簡化晶圓工藝，提升器件的競爭力，從而提高代工廠的盈利能力。
200mm硅晶圓襯底上制出的GaN MIS-HEMT器件
東部高科是新晉的全球十大晶圓代工廠之一，專門從事8英寸晶圓代工，主營業(yè)務(wù)為智能機(jī)器人、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等工業(yè)4.0所需要的芯片，進(jìn)行晶圓代工。在2021年全球晶圓代工的價格大幅上漲的行情下，東部高科在第三季度創(chuàng)造了單季營收新紀(jì)錄，相比上季度增幅15.6%，達(dá)到2.8億美元，成功躋身全球晶圓代工廠第十位。
硅基GaN并不是東部高科的首創(chuàng)，首次將硅基GaN技術(shù)導(dǎo)入晶圓代工的是臺積電。在2020年2月，臺積電與意法半導(dǎo)體合作，采用硅基GaN技術(shù)為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)GaN器件。臺積電已經(jīng)規(guī)劃在2022年，推動第三代半導(dǎo)體器件進(jìn)行市場化。
東部高科目前也正在加緊布局第三代半導(dǎo)體，積極開發(fā)SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用。據(jù)之前透漏的消息，東部高科已經(jīng)開始進(jìn)行SiC和GaN生產(chǎn)設(shè)備的評估，可能會在今年進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)線的建設(shè)。在去年11月份就有消息表示，東部高科會在今年第一季度進(jìn)行SiC和GaN功率器件的研發(fā)，這也標(biāo)志著東部高科正式進(jìn)入第三代半導(dǎo)體功率市場。
東部高科工程師正在對晶圓進(jìn)行檢查
目前，東部高科正在研發(fā)6至8英寸SiC功率器件，計劃是在今年第一季度推出試產(chǎn)品。同時，東部高科GaN基功率器件的研發(fā)也在進(jìn)行中。此次的報道也證實了東部高科正在加緊布局第三代半導(dǎo)體，打算在新的賽道上實現(xiàn)彎道超車，擴(kuò)大其全球晶圓代工的市場份額。
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