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頂點(diǎn)光電子商城2022年2月14日消息，盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司（簡(jiǎn)稱盛美半導(dǎo)體）在今天宣布獲得Ultra C wb槽式濕法清洗設(shè)備的批量采購(gòu)訂單。
盛美半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事單片晶圓和槽式濕法清洗設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備、熱處理設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè)。盛美半導(dǎo)體的產(chǎn)品模塊已經(jīng)獲得了兆聲波清洗設(shè)備和電鍍?cè)O(shè)備的DEMO訂單，以及SAPS單片清洗設(shè)備訂單。IDM大廠還對(duì)盛美半導(dǎo)體用于晶圓級(jí)封裝的濕法去膠設(shè)備進(jìn)行過(guò)重復(fù)下單。
據(jù)悉，此次Ultra C wb槽式濕法清洗設(shè)備的采購(gòu)訂單數(shù)量為29臺(tái)，其中16臺(tái)來(lái)自一家中國(guó)代工廠的重復(fù)訂單，目的是為了擴(kuò)大產(chǎn)量。這批29臺(tái)Ultra C wb槽式濕法清洗設(shè)備的訂單將從今年開(kāi)始，分兩個(gè)階段進(jìn)行發(fā)貨。
盛美半導(dǎo)體Ultra C系列產(chǎn)品
Ultra C wb槽式濕法清洗設(shè)備可以用于300mm晶圓的加工，包括光阻去除、氮化硅去除、爐管前清洗、RCA清洗、氧化層刻蝕，還有在晶圓回收工藝中的前段FEOL氧化硅層和FEOL多晶硅去除，以及后段BEOL金屬層剝離去除。
Ultra C wb槽式濕法清洗設(shè)備具有成本低、清洗效果好、無(wú)交叉污染的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)不同的工藝組合，可以搭配多種獨(dú)立的化學(xué)液清洗模塊，可以使用包括DIW、DHF、SC1、SC2、DIO3等多種清洗藥液。采用模塊化的設(shè)計(jì)，使Ultra C wb槽式濕法清洗設(shè)備占用更小的空間，方便的生產(chǎn)車間進(jìn)行靈活配置。
盛美半導(dǎo)體生產(chǎn)車間
盛美半導(dǎo)體今天還推出了一種超低壓干燥技術(shù)。該技術(shù)主要用于300mm槽式系統(tǒng)在清洗之后的干燥問(wèn)題，典型的應(yīng)用方向包括邏輯芯片的高寬深比結(jié)構(gòu)和晶圓上的3D NAND結(jié)構(gòu)在槽式系統(tǒng)中清洗后的干燥。
超低壓槽式干燥模塊采用了低壓異丙醇干燥工藝，可以滿足大部分槽式清洗干燥工藝的要求，比如化學(xué)機(jī)械拋光后清洗，干法刻蝕后光刻膠去除，爐管前清洗，氮化物、氧化層刻蝕、薄膜沉積去除，離子注入后清洗等工藝。
盛美半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備
盛美半導(dǎo)體在去年第三季度首次交付了一臺(tái)超低壓槽式干燥模塊，客戶是一個(gè)中國(guó)存儲(chǔ)器制造廠商，證明其已經(jīng)被市場(chǎng)所認(rèn)可。
通過(guò)高溫氮?dú)夂透邷禺惐迹摮蛪翰凼礁稍锬K可以有效降低晶圓干燥時(shí)，液膜表面的張力，同時(shí)增加水分離開(kāi)晶圓表面時(shí)，異丙醇和去離子水的表面張力梯度，達(dá)到降低干燥環(huán)境中的壓力，加快異丙醇替代去離子水的速率，并提高異丙醇的蒸發(fā)速率，從而達(dá)到改善晶圓干燥的性能。對(duì)于一些具有較大深寬比結(jié)構(gòu)或較小圖形尺寸的晶圓，可以極大降低表面水印和顆粒殘留的風(fēng)險(xiǎn)，不僅可以縮短干燥時(shí)間，還能有效避免晶圓圖形坍塌變形的問(wèn)題。
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