頂點光電子商城2022年2月14日消息，盛美半導體設備(上海)股份有限公司（簡稱盛美半導體）在今天宣布獲得Ultra C wb槽式濕法清洗設備的批量采購訂單。
盛美半導體是一家專業從事單片晶圓和槽式濕法清洗設備、無應力拋光設備、熱處理設備、電鍍設備的研發、生產和銷售的企業。盛美半導體的產品模塊已經獲得了兆聲波清洗設備和電鍍設備的DEMO訂單，以及SAPS單片清洗設備訂單。IDM大廠還對盛美半導體用于晶圓級封裝的濕法去膠設備進行過重復下單。
據悉，此次Ultra C wb槽式濕法清洗設備的采購訂單數量為29臺，其中16臺來自一家中國代工廠的重復訂單，目的是為了擴大產量。這批29臺Ultra C wb槽式濕法清洗設備的訂單將從今年開始，分兩個階段進行發貨。
盛美半導體Ultra C系列產品
Ultra C wb槽式濕法清洗設備可以用于300mm晶圓的加工，包括光阻去除、氮化硅去除、爐管前清洗、RCA清洗、氧化層刻蝕，還有在晶圓回收工藝中的前段FEOL氧化硅層和FEOL多晶硅去除，以及后段BEOL金屬層剝離去除。
Ultra C wb槽式濕法清洗設備具有成本低、清洗效果好、無交叉污染的優點。根據不同的工藝組合，可以搭配多種獨立的化學液清洗模塊，可以使用包括DIW、DHF、SC1、SC2、DIO3等多種清洗藥液。采用模塊化的設計，使Ultra C wb槽式濕法清洗設備占用更小的空間，方便的生產車間進行靈活配置。
盛美半導體生產車間
盛美半導體今天還推出了一種超低壓干燥技術。該技術主要用于300mm槽式系統在清洗之后的干燥問題，典型的應用方向包括邏輯芯片的高寬深比結構和晶圓上的3D NAND結構在槽式系統中清洗后的干燥。
超低壓槽式干燥模塊采用了低壓異丙醇干燥工藝，可以滿足大部分槽式清洗干燥工藝的要求，比如化學機械拋光后清洗，干法刻蝕后光刻膠去除，爐管前清洗，氮化物、氧化層刻蝕、薄膜沉積去除，離子注入后清洗等工藝。
盛美半導體電鍍設備
盛美半導體在去年第三季度首次交付了一臺超低壓槽式干燥模塊，客戶是一個中國存儲器制造廠商，證明其已經被市場所認可。
通過高溫氮氣和高溫異丙醇，該超低壓槽式干燥模塊可以有效降低晶圓干燥時，液膜表面的張力，同時增加水分離開晶圓表面時，異丙醇和去離子水的表面張力梯度，達到降低干燥環境中的壓力，加快異丙醇替代去離子水的速率，并提高異丙醇的蒸發速率，從而達到改善晶圓干燥的性能。對于一些具有較大深寬比結構或較小圖形尺寸的晶圓，可以極大降低表面水印和顆粒殘留的風險，不僅可以縮短干燥時間，還能有效避免晶圓圖形坍塌變形的問題。
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