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        頂點光電子商城2022年2月15日消息，近日，日本國內媒體報導，ROHM羅姆將在今年春季之前量產氮化鎵功率半導體器件。

        氮化鎵半導體屬于新型第三代半導體，其制作的功率器件具有高頻、抗輻射、耐高溫、功率大等優點。與硅半導體器件相比，氮化鎵器件能在電流切換時，降低60%的能耗。

        ROHM羅姆正在日本濱松市的工廠組建生產設備，量產的產品能夠承受150伏的電壓，非常適合數據中心和通信基站。據悉，ROHM羅姆將優先向5G基站供應氮化鎵功率器件產品。

        早在去年九月份，ROHM羅姆就已經啟動了樣品供貨測試。目前，ROHM羅姆正在為正式量產做準備，除了濱松市工廠外，羅姆的各海外生產基地也會投入生產。

        據悉，ROHM羅姆計劃在2026年3月份之前，將半導體元器件業務的營收提高到現階段的1.5倍，也就是2100億日元，約合18.21億美元。