頂點光電子商城2022年6月21日消息:近日,廣東省科學院團隊在Micro LED巨量轉移技術等研究中獲重要進展。
Micro-LED又稱微型發(fā)光二極管,是指高密度集成的LED陣列。該技術將傳統(tǒng)的無機LED陣列微小化,每個尺寸在10微米尺寸的LED像素點均可以被獨立的定位、點亮。也就是說,原本小間距LED的尺寸可進一步縮小至10微米量級。
簡單來說,Micro LED顯示技術就是將LED面板進行微小化,以達到原本大小的1%,并將這些微小化的LED融合在驅動電路與玻璃基板上,最終形成完整的屏幕。相比于普通LED屏,Micro LED可展示出微米級別的像素間距,成像效果更優(yōu)秀??梢詫崿F(xiàn)高解析度、高亮度、高對比度、高色彩飽和度以及低功耗、反應速度快、厚度薄、壽命長等優(yōu)點。
不僅如此,它的每一個像素點都能進行獨立控制,這與OLED看起來非常相像,其在亮度、分辨率、對比度等方面,也能達到OLED面板的水平。功率消耗量可低至LCD的10%、OLED的50%。
但是Micro LED涉及的產(chǎn)業(yè)多而雜,包括LED、面板、精密機械、半導體制程、測試及維修等等。據(jù)悉,在Micro-LED巨量轉移工藝上,即使業(yè)界能夠有所突破,但要真正提高良品率并降低成本,也需要花費不少時間。除此之外,Micro-LED還有一大難題就是全彩化以及發(fā)光波長一致性的問題。
面對這些問題,近日半導體所新型顯示團隊提出了基于光刺激調(diào)控光敏聚合物的表面形貌和界面粘附力,從而實現(xiàn)微器件巨量轉移技術方案。團隊采用外部光照誘導聚合物生長,使光敏物質(zhì)產(chǎn)生局部區(qū)域的凹陷和凸起,產(chǎn)生的高度差可實現(xiàn)將待轉移芯片和非轉移芯片選擇性編程轉移至目標基板。
同時,光刺激導致聚合物使芯片從強附著狀態(tài)快速切換到弱附著狀態(tài),實現(xiàn)芯片從聚合物中快速釋放。這兩種效應的相互作用使得超小型元件可大面積、可編程的組裝到各種粘附性基板上。研究團隊通過組裝ITO、GaN、鈣鈦礦量子點和Au薄膜等不同材料和功能器件驗證該技術方案的可行性,結果表明該技術能將不同材料和功能器件大面積、高保真且可編程的轉移至目標基板。
同時,光刺激導致聚合物使芯片從強附著狀態(tài)快速切換到弱附著狀態(tài),實現(xiàn)芯片從聚合物中快速釋放。這兩種效應的相互作用使得超小型元件可大面積、可編程的組裝到各種粘附性基板上。研究團隊通過組裝ITO、GaN、鈣鈦礦量子點和Au薄膜等不同材料和功能器件驗證該技術方案的可行性,結果表明該技術能將不同材料和功能器件大面積、高保真且可編程的轉移至目標基板。
MicroLED未來應用商機無限,除了可取代LCD/OLED作為面板顯示器,其省電特制適合AR/VR頭盔以及智慧手表等穿戴式設備,也適合作為戶外顯示看板、頭戴式顯示器(HMD)、抬頭顯示器(HUD)所用。另外,車尾燈、投影等同樣是Microled可以大展身手的領域。
在未來Micro LED能否成為優(yōu)秀且平價的技術,就讓我們拭目以待吧。