頂點光電子商城12月13日消息：近日，至訊創新完全自主研發的國內首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片研制成功，預計將于明年年初全面投放市場。
這是國內首款全自研、運用先進工藝的中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片。產品將覆蓋512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V電壓，并采用業界主流串行接口SPI和WSON封裝。這是國內存儲行業的跨越式突破，技術水平已趕超國際一流。
該芯片可滿足消費級產品對可靠性的需求，還可達到工規和車規等高可靠性應用場景對擦寫次數和數據保留的要求。至訊創新數據顯示，該產品實現了芯片面積縮小 40%，I / O 速度提升 25%，擦寫周期提升 70%。
在如今大數據時代，NAND閃存無疑是數據存儲的奠基者。不管是手機、電腦、家電還是汽車、安防等行業，都少不了NAND閃存的身影，其重要性可見一斑。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數據更多，而MLC又比SLC存儲的數據多。
此次19nm芯片的成功研制是至訊創新破繭成蝶的第一步，未來至訊創新將持續加大研發投入，與更多合作伙伴展開更深度協作，保持每年兩到三個先進工藝項目的開展，使更具有創新力、競爭力的產品陸續登陸市場。
至訊創新科技（無錫）有限公司成立于2021年10月，總部位于江蘇無錫，在上海、深圳、香港等地均已設立分支機構，完備的營銷及服務網絡為客戶提供快捷、優質的支持。旨在領導存儲技術創新，成為全球存儲行業的領軍者。專注于中小容量存儲芯片的研發，團隊可全面覆蓋設計、測試、工藝提升等關鍵環節，且具備完全自主可控的知識產權。在質量管理方面，公司有嚴格的標準與要求，已獲得ISO 9001等國際質量體系認證，同時積極推進產業整合，與全球多家領先晶圓廠、封裝廠達成戰略合作伙伴關系。
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