頂點光電子商城8月7日消息：近日，瑞森半導體進一步壯大和完善超結（SJ）MOSFET系列，推出600V超結功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型號。
超結功率MOSFET（Superjunction Power MOSFET）是一種現代的功率場效應晶體管（MOSFET），用于高功率應用，如電源、變頻器、電機驅動器和其他需要高效率、高性能功率放大的電子設備。超結功率MOSFET的設計旨在提供更低的開通電阻、更高的開通速度和更低的開通損耗。
瑞森半導體新產品RSF60R070F滿足TO-220F/TO-263等封裝外形，常規產品封裝為TO-247，整體尺寸節約50%，做到大電流小封裝。從而大幅減少器件在PCB線路板上占用的空間，助力小型化產品的應用。優勢有：其內置FRD，適應LLC線路，并適合多管應用，具有更快的開關速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統效率；和優異的EMI性能。
RSF60R070F實測耐壓為600V，導通電阻僅為58mΩ，使得MOS管在導通狀態下實現更小的功率損耗和更高的效率，同時成本也隨之下降，為客戶提供低成本設計方案。該款產品主要適用于電源、電機控制、逆變器和其它高壓開關應用等。
超小內阻新品RSF60R026W，能做到RDS(ON)典型值20mΩ。優勢有：導通電阻減少了33% ，降低功率損耗，進一步提高效率；內置FRD，適應LLC線路，并適合多管應用；100%雪崩測試；低柵極電荷、低導通電阻；優異的EMI性能。
瑞森半導體（REASUNOS）起步于2007年，是一家專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售的國家級高新技術企業， 致力于為全球客戶提供功率半導體整體解決方案。公司產品涵蓋碳化硅MOS、碳化硅二級管、硅基平面MOS、超級結MOS、中低壓MOS、LED驅動IC、電機驅動IC和系列ESD&TVS靜電保護器件等，憑借產品可靠性高、參數一致性好等特點，廣泛應用于新能源汽車 、充電樁、光伏、逆變、儲能、白色家電、工業控制和消費類電子等領域。
公司專注于高質、高性能的產品研發，核心研發第三代寬禁帶半導體技術，是國內碳化硅（SiC）產品系列較早實現量產并全球銷售的企業。品質、性能對標國際品牌，成功替代眾多進口系列，助力芯片國產化。在集成芯片領域， 國內首創單級大功率400W高PF無頻閃LED驅動IC，是具備較強競爭力、自主創新的產品。在功率器件領域，就更高耐壓、更大電流，模塊化等發展方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持續投入研發中。
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