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        頂點光電子商城2023年10月20日消息：近日，格芯（GlobalFoundries）宣布已獲得美國提供的3500萬美元聯邦資金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工廠在硅半導體上制造差異化氮化鎵（GaN）芯片。

         氮化鎵芯片是新一代半導體技術，其運行速度比傳統硅芯片快20倍，并且在尺寸和重量減半的情況下可將功率和充電速度提高3倍。

         氮化鎵芯片的制造工藝十分復雜，需要先在半導體襯底上制造出氮化鎵材料，然后進行電路設計和刻蝕、薄膜制備、離子注入等核心工藝，最后進行封裝測試。

          氮化鎵芯片主要應用于電源轉換和分配電路、DC-DC轉換器、音頻放大器、射頻放大器、激光器、傳感器等電子設備中。氮化鎵芯片的優勢有：

         高頻率：氮化鎵材料耐熱性好，因具有高電子遷移率而成為高頻的“贏家”，其電子遷移率高于碳化硅，可提高晶體管的開關轉換速度，適用于高頻率、大功率電路中。氮化鎵芯片的制造工藝十分復雜，需要先在半導體襯底上制造出氮化鎵材料，然后進行電路設計和刻蝕、薄膜制備、離子注入等核心工藝，最后進行封裝測試。

          高可靠性：氮化鎵芯片具有高可靠性，可提高電源轉換效率、減少熱量的產生、縮小充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。

          低噪音：氮化鎵芯片具有低噪音的特點，可提高音頻放大器的性能。