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            頂點光電子商城2025年4月30日消息：近日，華為與中芯國際在5nm芯片領域的合作。是當前中國半導體產業突破技術封鎖、實現自主可控的重要舉措，雙方在技術研發、工藝驗證及產業鏈協同方面已取得階段性進展，但仍面臨良率提升、設備依賴及國際競爭等挑戰。

           中芯國際已實現5nm工藝的初步突破，盡管初期良率僅為33%，但這一成果已超過行業預期。華為與中芯國際聯合攻克5nm芯片制程技術，并計劃于2025年推出搭載自研麒麟9030芯片的旗艦機型，標志著中國半導體產業首次在先進制程領域實現完全自主化。中芯國際采用浸潤式DUV光刻機疊加多重曝光技術，輔以相移光罩和模型光學修正，成功實現5nm工藝的初步驗證。這種“去EUV化”的技術路徑，通過現有設備實現先進制程，為突破技術封鎖提供了新思路。

          上海新陽的光刻膠、長江存儲的3D NAND閃存等國內企業，共同構建起完整的5nm生態鏈。新凱來等企業推出的高端半導體設備，直指7nm以下先進制程，為5nm芯片量產提供設備支持。華為與中芯國際在芯片設計、制造工藝等方面展開深度合作，推動技術迭代與產業化落地。

           展望未來，通過持續研發，提升5nm工藝的良率與性能，降低成本，增強市場競爭力。隨著工藝成熟，逐步擴大5nm芯片的產能，滿足市場需求。加強與材料、設備、設計等產業鏈上下游企業的合作，構建更加完善的自主可控生態鏈。參與國際標準制定，推動中國半導體產業在全球產業鏈中占據更有利的位置。探索碳基芯片、硅-碳混合架構等新技術路徑，實現“換道超車”。瞄準3nm及以下制程，提前布局EUV光源預研、先進封裝等技術，為未來競爭奠定基礎。