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        頂點光電子商城2025年7月21日消息：近日，日本芯片制造商Rapidus已正式啟動2nm晶圓試產，并計劃于2027年實現量產，這一進展標志著全球最先進邏輯制程競爭格局從“三強并立”演變為“四雄爭霸”。

       Rapidus于2025年7月18日宣布，在其位于北海道千歲市的IIM-1工廠啟動2nm全環繞柵極（GAA）晶體管結構的原型試制，并公開展示了首批2nm GAA晶圓。IIM-1工廠于2023年9月破土動工，2024年12月完成潔凈室建設，2025年4月1日實現了首次圖案曝光與顯影，至2025年6月已連接超200套設備，包括先進的DUV和EUV光刻工具。

        Rapidus選擇直接從40nm跳躍至2nm，這種技術跨越在半導體史上絕無僅有。2nm制程的核心挑戰在于晶體管結構從傳統FinFET轉變為GAAFET，需實現多閾值電壓以確保芯片在低電壓下執行復雜計算。

         Rapidus依托三大技術支柱：與IBM合作獲得2nm技術基礎，聯合比利時IMEC獲取EUV光刻技術，以及佳能、鎧俠開發的納米壓印技術作為“秘密武器”。IBM和Rapidus還引入兩種不同的選擇性減少層（SLR）芯片構建工藝，成功解決多閾值電壓問題。

         Rapidus的加入使全球最先進邏輯制程競爭格局從“三足鼎立”演變為“四雄爭霸”，盡管比競爭對手稍晚，但憑借技術跨越和差異化定位，有望在高端制程領域占據一席之地。

            展望未來，Rapidus還將積極布局2納米之后的1.4納米技術，并強調如果不能在2年半到3年左右的時間內致力于開發下一代技術，就無法在產業鏈中取勝。