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硅光電二極管(Si PD)常見使用問題匯總解答

        硅光電二極管是一種最常見的光電探測器,簡稱Si PD,也是一種應(yīng)用最廣泛的光電探測器。頂點(diǎn)光電子作為濱松代理商,積累了客戶許多關(guān)于硅光電二極管(Si PD)使用相關(guān)的問題。今天小編整理了一些關(guān)注度較高的問題,包括硅光電二極管(Si PD)的靈敏度,光譜響應(yīng)與溫度的關(guān)系,不同光斑大小對輸出電流的影響,線性范圍,響應(yīng)速度,反向偏壓,以及輸出電流信號等,給大家一一解答。

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一、同型號硅光電二極管(Si PD),靈敏度是否完全一致

        關(guān)于同一型號的硅光電二極管(Si PD),靈敏度并不是完全一致,二是呈現(xiàn)一定的離散性。原因是受生產(chǎn)工藝的影響,每一道工序并不能做到百分百一致。但這些差異可以控制在合理的范圍內(nèi)。以濱松硅光電二極管 S2386-8K為例,在400-900nm的波長范圍內(nèi),其靈敏度離散性(3σ)的參考值僅為5%。

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二、硅光電二極管(Si PD)光譜響應(yīng)與溫度有沒有關(guān)系

        溫度對硅光電二極管(Si PD)光譜響應(yīng)的影響,需要結(jié)合其峰值波長。對于一款硅光電二極管(Si PD),在其峰值波長的左側(cè)區(qū)域(即小于峰值波長的光譜響應(yīng)區(qū)間),溫度對光譜響應(yīng)度基本沒有影響;在其峰值波長的右側(cè)區(qū)域(即大于峰值波長的光譜響應(yīng)區(qū)間),溫度對光譜響應(yīng)度的影響存在一個正的溫度系數(shù)。如下圖以S1226-18BKS1336-18BK為例:

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三,相同入射光功率,不同光斑大小對硅光電二極管(Si PD)輸出電流的影響
        在相同的入射光功率條件下,不同光斑大小是否會影響硅光電二極管(Si PD)的輸出電流,主要還是要看硅光電二極管(Si PD)的感光面積大小。如果硅光電二極管(Si PD)在入射光局部不飽和的情況下,且入射光斑面積大小小于硅光電二極管(Si PD)感光面積的80%,則輸出電流與光斑大小無關(guān)。


        舉個“栗子”:以感光面直徑為10mm的Si PD為例,在入射光功率相同的情況下,光斑直徑為3mm和5mm的信號光照射到Si PD上,產(chǎn)生的光電流都是一樣的。也可以進(jìn)一步理解為,在不考慮暗電流和截止頻率等因素的前提下,小感光面的Si PD可以用的話,感光面稍大一些的Si PD也是可以用的,且效果一樣。不過,在同系列的產(chǎn)品中,感光面積越大,成本越高,在選型時需要注意。


四、硅光電二極管(Si PD)的線性范圍

        硅光電二極管(Si PD)的線性范圍指的是,一款硅光電二極管(Si PD)能夠探測光量的最大值和最小值。一般來說,硅光電二極管(Si PD)的光電流與入射光量之間具有很好的線性關(guān)系。當(dāng)入射光量在10的負(fù)12次方W~10的負(fù)2次方W范圍內(nèi),可以獲得的線性度范圍高于九個數(shù)量級(具體取決于Si PD類型和工作電路等)。


        一款硅光電二極管(Si PD)的線性度下限(即探測下限)可以由噪聲等效功率(NEP)來表示,線性度上限(即探測上限)則取決于負(fù)載電阻和反向電壓等因素,具體可參考下面的公式:

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五、硅光電二極管(Si PD)的響應(yīng)速度

        硅光電二極管(Si PD)的響應(yīng)速度主要受這些因素的影響:CR時間常數(shù),載流子擴(kuò)散速率,以及耗盡層的載流子遷移時間等。由于長波長光的載流子擴(kuò)散時間更長,因此光譜響應(yīng)范圍的波長越長,硅光電二極管(Si PD)的響應(yīng)速度越慢。


如果需要更快響應(yīng)速度的硅光電二極管(Si PD),可以從以下方面進(jìn)行選型和電路處理:
1、選擇極間電容更低的Si PD;
2、減少負(fù)載電阻;
3、通過反向電壓降低極間電容。注:增加反向電壓會增加暗電流。


六、反向偏壓對硅光電二極管(Si PD)的影響

        在反向偏壓的條件下,硅光電二極管(Si PD)的耗盡層寬度會增加,結(jié)電容變小,響應(yīng)速度會相應(yīng)提高,但是暗電流會變大。不加反向偏壓,硅光電二極管(Si PD)的暗電流很小,但不能提高響應(yīng)速度。


七、硅光電二極管(Si PD)的輸出電流信號如何處理

        硅光電二極管(Si PD)輸出的光電流型號主要有放大、I-V轉(zhuǎn)換(電流-電壓轉(zhuǎn)換)和采集等處理方式。


        對于一般的光功率檢測應(yīng)用,可直接通過皮安電流表對硅光電二極管(Si PD)輸出的光電流進(jìn)行讀出,再通過相關(guān)計算,得出光功率數(shù)據(jù)。


        對于光通信領(lǐng)域,pin型的光電二極管PD用于測量高速光信號,后端需要通過高帶寬的跨阻放大器實(shí)現(xiàn)I/V轉(zhuǎn)換并放大,最后通過示波器顯示,或ADC采集。


        以上就是關(guān)于硅光電二極管(Si PD)常見使用問題的匯總解答,歡迎關(guān)注頂點(diǎn)光電子,我們會不定期更新濱松產(chǎn)品的使用技巧。


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